Ultra-Flat 6" Wafer mit Siliziumoxid SiO2-Film

Dieser Wafer mit dem SiO2 Film wird verbreitet in der Halbleiterindustrie, für Dünnfilm-Forschung und auch für das Aufwachsen von Zellen verwendet. Zudem ist er ein gutes Substrat für Beobachtungen mit einem AFM und im REM.

Die Parameter lauten:   

• Orientierung: <100>
• Widerstand: 1 - 50 Ohm/cm P-Typ / mit Bor dotiert
• Waferdicke: 675 µm - 695 µm Oberfläche (zur Probe): poliert
• Oberfläche (rückseitig): geätzt
• Oberflächenrauheit: typischerweise 2 - 3 Å
• Ebenheit 1 nach SEMI Standard (über die Länge 57,5 ± 2,5 mm)
• SiO2 Film-Dicke 200 nm ± 5 %
• Durchmesser: 150 mm (6 ")
• Verpackungseinheit: 1 Stück