Ultra-Flat 6" Wafer mit Siliziumoxid SiO2-Film in Gel-Pak Schachteln, geschnitten

Dieser Wafer mit dem SiO2 Film wird verbreitet in der Halbleiterindustrie, für Dünnfilm-Forschung und auch für das Aufwachsen von Zellen verwendet. Zudem ist er ein gutes Substrat für Beobachtungen mit einem AFM und im REM. Er ist bereits geschnitten erhältlich und wird dann in Gel-Pak-Schachteln geliefert (6 Stück 10 mm x 10 mm oder 18 Stück 5 mm x 7 mm oder 25 Stück 5 mm x 5 mm).
Die Parameter lauten:   

• Orientierung: <100>
• Widerstand: 1 - 50 Ohm/cm P-Typ / mit Bor dotiert
• Waferdicke: 675 µm - 695 µm Oberfläche (zur Probe): poliert
• Oberfläche (rückseitig): geätzt
• Oberflächenrauheit: typischerweise 2 - 3 Å
• Ebenheit 1 nach SEMI Standard (über die Länge 57,5 ± 2,5 mm)
• SiO2 Film-Dicke 200 nm ± 5 %

• Format: 10 mm x 10 mm
• Inhalt: Box zu 6 Stück