Silizium Wafer mit Orientierung, Typ P

Diese Siliziumwafer mit 1", 2", 3", 4" und 6" Durchmesser können entweder als Substrat für die Dünnfilmforschung oder zur Herstellung kleinerer Siliziumsubstrate verwendet werden, indem der Wafer mit einem Scriber und dem Wafer Cleaving / Glasbrechzange gebrochen wird. Der Wafer wird in einem Waferträger versandt.

Eigenschaften:

• Orientierung: <100> für 1", 2", 4" und 6" Wafer ; <111> für 3" Wafer
• Widerstand: 1 - 30 Ohm
• Typ P: (Bor)
• Keine SiO2-Deckbeschichtung
• Rauheit: 2nm
• TTV: <= 20 µm
• Wafer ist einseitig poliert

Waferdicke:

• Ø 1" = 10 - 12 Mill (254 - 304µm)
• Ø 2" =  9 - 13 Mill (230 - 330µm)
• Ø 3" = 13,6 - 18,5 Mill. (345 - 470 µm)
• Ø 4" = 18,7 - 22,6 Mill. (475 - 575 µm)
• Ø 6" = 23,6 - 25,2 Mill. (600 - 690 µm)