1-D Dreiecks-Test-Raster TGT-1500 (auf AFM-Scheibe) für X- oder Y-Achse

Dieses Raster ist für die SPM-Kalibrierung in X-oder Y-Achse, Bestimmung der lateralen und vertikalen Scanner Linearitätsabweichung, des Findens von Winkelverzeichnungen und Spitzen-Charakterisierung vorgesehen.
Silizium-Chip mit 1-dimensionalem Raster mit dreieckigen Erhöhungen mit präzisen linearen und winkeligen Abmessungen. Spitzenwinkel 70°, Kantenradius ≤ 10 nm, Höhe der Dreiecksstufen 1,5 µm, Pitch (Periodizität) 3 µm ± 0,01 µm. Das Außenmaß des Si-Chips beträgt 5 mm x 5 mm x 0,5 mm, die Fläche mit einem effektiven Rasterbereich 3 mm x 3 mm.

• Si-Wafer mit eindimensionalem Dreiecksraster (1-D) in der obersten Schicht
• Kantenwinkel ca. 70° 
• Kantenradius ≤ 10 nm
• Peakhöhe ca. 1,8 µm (Peak-zu-Tal, nicht kalibriert)
• Peak-zu-Peak Abstand (pitch) ca. 3 µm +/- 0,01 µm
• Si-Chipgröße = 5 mm x 5 mm
• Effektive (zentrale) Rasterfläche ca. 3 mm x 3 mm
• Geeignet zum Test der x- oder y-Achse
• Montiert auf einer 12 mm Durchmesser AFM-Scheibe
• Verpackungseinheit: 1 Stück

Dieses Raster ist für die SPM-Kalibrierung in X-oder Y-Achse, Bestimmung der lateralen und vertikalen Scanner Linearitätsabweichung, des Findens von Winkelverzeichnungen und Spitzen-Charakterisierung vorgesehen.

Silizium-Chip mit 1-dimensionalem Raster mit dreieckigen Erhöhungen mit präzisen linearen und winkeligen Abmessungen. Spitzenwinkel 70°, Kantenradius ? 10 nm, Höhe der Dreiecksstufen 1,5 µm, Pitch (Periodizität) 3 µm ± 0,01 µm. Das Außenmaß des Si-Chips beträgt 5 mm x 5 mm x 0,5 mm, die Fläche mit einem effektiven Rasterbereich 3 mm x 3 mm.